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J-GLOBAL ID：200903095163296396

SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法

Inventor： 浅井 隆一 ,  遠藤 知子
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997084510
Publication number (International publication number)：1998261615
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 SiC半導体を使用した素子の特性を向上させるために、SiC半導体基板およびその上に成長した膜の表面モホロジーを制御する。【解決手段】 H2 ガスで0.1%以上かつ5%以下(体積比)に希釈したHClガス雰囲気中1300°C以上かつ1500°C以下の温度で、SiC半導体基板またはSiC半導体基板上にホモエピタキシャル成長したSiC半導体薄膜を熱気相エッチングする。

Claim (excerpt)：

SiC半導体の表面モホロジーを制御する方法であって、H2 ガスで0.1%以上かつ5%以下(体積比)に希釈したHClガス雰囲気中1300°C以上かつ1500°C以下の温度で、SiC半導体基板またはSiC半導体基板上にホモエピタキシャル成長したSiC半導体薄膜を熱気相エッチングすることを特徴とするSiC半導体の表面モホロジー制御方法。

IPC (5)：

H01L 21/306 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205

FI (5)：

H01L 21/302 P ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/36 A ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• SiC結晶成長方法およびSiC半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210321   Applicant：富士電機株式会社