Pat

J-GLOBAL ID：200903095166506804

アニオン部位を規則的に有する配位高分子

Inventor： 北川 進 ,  植村 卓史 ,  古川 修平 ,  樫下 幸志
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学 ,  ローム株式会社 ,  三菱化学株式会社 ,  株式会社日立製作所 ,  パイオニア株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (3)： 鎌田 文二 ,  東尾 正博 ,  鳥居 和久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003305762
Publication number (International publication number)：2005075870
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】液漏れ、発火、分極等を生ぜず、かつ十分な効力を有する固体電解質を提供することを目的とする。【解決手段】金属イオン及び有機配位子から構成され、上記有機配位子は、上記金属イオンに配位可能な原子を少なくとも2つ有すると共に、負電荷を有し得る官能基を少なくとも1つ有し、上記有機配位子が有し得る負電荷の価数の絶対値が、上記金属イオンの価数の絶対値より大きいアニオン部位を規則的に有する配位高分子を用いる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

金属イオン及び有機配位子から構成され、 上記有機配位子は、上記金属イオンに配位可能な原子を少なくとも2つ有すると共に、負電荷を有し得る官能基を少なくとも1つ有し、 上記有機配位子が有し得る負電荷の価数の絶対値が、上記金属イオンの価数の絶対値より大きいアニオン部位を規則的に有する配位高分子。

IPC (5)：

C08G79/00 ,  C07D213/30 ,  H01B1/06 ,  H01G9/038 ,  H01M8/02

FI (5)：

C08G79/00 ,  C07D213/30 ,  H01B1/06 A ,  H01M8/02 P ,  H01G9/00 301D

F-Term (30)：

4C055AA01 ,  4C055BA01 ,  4C055CA01 ,  4C055DA06 ,  4C055DA16 ,  4C055DB16 ,  4C055FA13 ,  4C055FA32 ,  4C055FA37 ,  4C055GA02 ,  4H048AA01 ,  4H048AB91 ,  4H048VA57 ,  4H048VB10 ,  4J030CA01 ,  4J030CA02 ,  4J030CA03 ,  4J030CC01 ,  4J030CC04 ,  4J030CC05 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CG01 ,  4J030CG02 ,  5G301CD01 ,  5H024FF22 ,  5H024FF23 ,  5H026CX05 ,  5H026EE17 ,  5H029AM12

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• スルホン酸基を有するピリジン誘導体を用いた新規配位高分子の合成と構造