Pat

J-GLOBAL ID：200903095198333405

表示用半導体装置

Inventor： 内野 勝秀 ,  阿部 文明 ,  中山 佳子
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996337563
Publication number (International publication number)：1998161156
Application date： Dec. 03, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 欠陥画素をレーザリペアで容易に修復可能な構造を有する表示用半導体装置を提供する。【解決手段】 表示用半導体装置は絶縁基板0の上にマトリクス状に集積形成された薄膜トランジスタ1と、個々の薄膜トランジスタ1を外光から遮閉するようにパタニングされた金属遮光膜3と、平坦化膜10を介して金属遮光膜3より上方に配され且つコンタクトホールを介して対応する薄膜トランジスタ1に電気接続した透明な画素電極2とを備えている。互いに隣り合う画素電極2,2の間に修復用の孤立電極7が設けられており、これを介して異常の生じた一方の画素電極2と正常な他方の画素電極2とをレーザビーム照射により短絡可能にしている。孤立電極7は金属遮光膜3と同一層で形成されている。

Claim (excerpt)：

絶縁基板の上にマトリクス状に集積形成された薄膜トランジスタと、個々の薄膜トランジスタを外光から遮閉するようにパタニングされた金属遮光膜と、絶縁膜を介して該金属遮光膜より上方に配され且つコンタクトホールを介して対応する薄膜トランジスタに電気接続した透明な画素電極とを備えた表示用半導体装置であって、互いに隣り合う画素電極の間に修復用の孤立電極が設けられており、これを介して異常の生じた一方の画素電極と正常な他方の画素電極とを短絡可能にするとともに、該孤立電極は該金属遮光膜と同一層で形成されていることを特徴とする表示用半導体装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 330

FI (2)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 330 A