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J-GLOBAL ID：200903095205826960

レジストパターンの形成方法

Inventor： 上山 欣也 ,  藤野 毅
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117624
Publication number (International publication number)：1993142788
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 サイドエッチを防止して微細なレジストパターンを形成することができる方法を提供する。【構成】 基板1上にレジスト層2を形成した後、レジスト層2にパターンを焼き付ける。次に、レジスト層2において焼き付けられた領域5のシリル化を行なうため、レジスト層をシリル化剤にさらす。シリル化の後、レジスト層を未現像の部分が残るよう途中まで現像する。焼き付けられた領域において現像により表出された部分のシリル化を行なう。ついで、未現像の部分を除去してレジストパターンを最終的に得る。

Claim (excerpt)：

レジスト層を形成するステップと、前記レジスト層上の領域を露光するステップと、前記レジスト層の露光された領域をシリル化するステップと、前記レジスト層の露光されなかった領域を途中まで除去して、露光された領域の部分を表出させるステップと、前記露光された領域の表出された部分をシリル化するステップと、前記露光されなかった領域の残りの部分を除去してレジストパターンを得る工程とを備える、レジストパターンの形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/38 512 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302