反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003369596
Publication number (International publication number)：2004310019
Application date： Oct. 29, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】短波長の露光に対して、優れた反射防止効果を有し、エッチング選択比が高く、即ち、フォトレジスト膜に対してエッチング速度が十分に速く、被加工基板よりもエッチング速度が十分に遅く、さらに、反射防止膜の上のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状を垂直形状にできる反射防止膜材料を提供する。【解決手段】リソグラフィーで用いられる反射防止膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される共重合による繰り返し単位を有する高分子化合物を含むもの、又は下記一般式(2)で示される共重合による繰り返し単位を有する高分子化合物と、下記一般式(3)で示される共重合による繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料。【化34】【化35】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

リソグラフィーで用いられる反射防止膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される共重合による繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料。

IPC (3)：

G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027

FI (3)：

G03F7/11 503 , G03F7/075 521 , H01L21/30 574

F-Term (10)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA34 , 2H025FA03 , 2H025FA14 , 2H025FA41 , 5F046PA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

リソグラフィー用下地材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-244050 Applicant：東京応化工業株式会社
特公平7-69611号公報
米国特許第5294680号明細書

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Cited by examiner (3)

反射防止膜形成用組成物及びそれに用いるラダー型シリコーン共重合体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-396335 Applicant：東京応化工業株式会社
ハードマスク層用の反射防止SiO含有組成物
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-586669 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
フォトリソグラフィ用スピンオンガラス反射防止コーティング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-503571 Applicant：ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド

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