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J-GLOBAL ID：200903095218628598
誘電体分離基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995021484
Publication number (International publication number)：1996222625
Application date： Feb. 09, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】誘電体分離基板の製造方法において、分離用基板に堆積する多結晶シリコン層中に単結晶シリコン層を設け、基板上に格子状に配置することにより、高温熱処理により生じる基板の湾曲を防止する。【構成】誘電体分離基板の製造方法において、集積回路として使用しない部分の絶縁膜を除去して、気相成長法により多結晶シリコン層中に単結晶シリコン層を形成する。【効果】湾曲がほとんど生じない誘電体分離基板が得られる。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン基板の一主面と、一主面上に溝を有する単結晶シリコン基板に絶縁膜を形成し、溝を有する主面上に、気相成長法により多結晶シリコンを堆積し、次にその堆積層の表面に研削,研磨を実施して、平坦化かつ鏡面とした面とを貼り合わせることを含む誘電体分離基板の製造法において、溝を有する主面上の集積回路として使用しない部分の絶縁膜を除去して、その部分に上記気相成長法で同時に単結晶シリコンを堆積することにより基板の湾曲を防止することを特徴とする誘電体分離基板の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/76 D
, H01L 21/02 B
