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J-GLOBAL ID：200903095223934664

半導体放射線検出器の製造方法

Inventor： 岩瀬 義倫 ,  高村 秀人 ,  大森 正道
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱共石
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289466
Publication number (International publication number)：1993102512
Application date： Oct. 09, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】化合物半導体を用いた放射線検出器の特性を劣化させることなく、高い信頼性の得られる配線の接続方法を提供する。【構成】(a)放射線に有感な化合物半導体の表面に電極を形成し、(b)該電極上に前記半導体よりも軟らかい金属層を形成し、(c)該金属層上に圧力を印加して配線を接続する。【効果】半導体および電極に不要な応力が加わることがないため、検出器のエネルギー分解能などの特性を劣化させることなく、十分な強度で配線を接続することが可能となる。

Claim (excerpt)：

(a)放射線に有感な化合物半導体の表面に電極を形成し、(b)該電極上に前記半導体よりも軟らかい金属層を形成し、(c)該金属層上に圧力を印加して配線を接続することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-148677
  
• 特開昭58-164272
  
• 特開昭63-182869
  
• 特開平3-188684
  
• 特開平3-248578