Pat

J-GLOBAL ID：200903095225539053

セラミック表面への銅膜形成方法

Inventor： 大谷 隆児 ,  正木 康史 ,  宮野 孝広
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991339160
Publication number (International publication number)：1993170578
Application date： Dec. 21, 1991
Publication date： Jul. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 表面粗化など特性劣化を伴う前処理を必要とせずに、高い密着強度で、穴の内面を含む複雑な面にも、高い純度の銅膜を簡単に形成することのできる方法を提供することを課題とする。【構成】 銅を少なくとも銅の融点以上に加熱した状態で、銅の融液2表面に酸化銅層3を形成した後、この酸化銅層をセラミック表面と銅で挟むようにして前記酸化銅層を介して銅膜を形成するようにするセラミック表面への銅膜形成方法。

Claim (excerpt)：

銅を少なくとも銅の融点以上に加熱した状態で、銅の融液表面に酸化銅層を形成した後、この酸化銅層をセラミック表面と銅で挟むようにして前記酸化銅層を介して銅膜を形成するようにするセラミック表面への銅膜形成方法。

IPC (4)：

C04B 41/90 ,  C23C 2/04 ,  C23C 4/04 ,  C23C 28/00