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J-GLOBAL ID：200903095231602204

半導体レーザ素子

Inventor： 北村 祥司
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305152
Publication number (International publication number)：1993145173
Application date： Nov. 21, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】短波長のレーザ光を得るために面発光レーザ素子上にSHG素子を一体として形成した構造の半導体レーザ素子とする。【構成】垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出射面の反射鏡上部に、一定の周期で分極を反転したLiNbO3 多層膜を積層し、またはLiNbO3 多層膜の上下両面にレーザ光の波長に対する反射鏡を設けて光共振器構造とすることにより、垂直共振器半導体レーザ素子とSHG素子とが一体として結合された青色発光可能な半導体レーザ素子とすることができる。

Claim (excerpt)：

垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出射面に形成した半導体多層膜反射鏡上に、一定の周期で分極を反転したLiNbO3 多層膜を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。