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J-GLOBAL ID：200903095246291990

透明導電性積層体およびその製造方法

Inventor： 坂井 ▲祥▼浩 ,  小山 正人 ,  吉開 正彰 ,  原田 祐一郎 ,  鈴木 彰 ,  中島 明美
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996196442
Publication number (International publication number)：1998034796
Application date： Jul. 25, 1996
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】耐環境性に優れたエレクトロルミネッセンス用透明電極に適した透明導電性積層体およびその製造方法の提供。【解決手段】透明高分子基体(A)の一方の主面に、少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電膜層(B)と、銅からなる金属薄膜層(C)とを、ABCなる構成で連続成膜する際、銅成膜時に反応ガス中に5〜50vol%の水素を存在させる。

Claim (excerpt)：

透明高分子基体(A)の一方の主面に、少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電膜層(B)を積層し、該透明導電膜層(B)上に銅からなる金属薄膜層(C)を積層するに際して、反応ガス中に5〜50vol%の水素を添加することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。

IPC (6)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H05B 33/28

FI (6)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  B32B 15/04 Z ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H05B 33/28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開平2-227992
  

Cited by examiner (1)

• 特開平2-227992