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J-GLOBAL ID：200903095267010893

半導体集積回路およびその製造方法

Inventor： 西岡 康隆 ,  北沢 良幸 ,  友久 伸吾
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999265721
Publication number (International publication number)：2001093973
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明に基づく半導体集積回路は、第一絶縁層26が有機高分子膜1aと窒化シリコン膜2aとからなり、第二絶縁層27は、シリコーン高分子膜3と窒化シリコン膜2bとからなる。また、好ましくは、機械的強度向上のために第二絶縁層27が酸化シリコン膜を含むものとする。

Claim (excerpt)：

下部導電層と、前記下部導電層の上に設けられる第一絶縁層と、前記第一絶縁層の上に設けられる上部導電層と、前記第一絶縁層の上において、前記上部導電層の間を埋めるように設けられ、前記第一絶縁層とは異なる材料を含む第二絶縁層と、前記第一絶縁層中に設けられ、前記下部導電層と前記上部導電層とを電気的に絶縁する層間接続部とを備える、半導体集積回路。

F-Term (31)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-036220   Applicant：ソニー株式会社
• 配線構造体及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-044814   Applicant：松下電器産業株式会社