Pat

J-GLOBAL ID：200903095283046130

多分割アバランシェフォトダイオード

Inventor： 小林 考二
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286712
Publication number (International publication number)：1995226532
Application date： Nov. 21, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】不感帯幅を小さくして分解能が向上された多分割APDを提供する。【構成】受光部の外周縁部にのみガードリングを配置する。しかし、受光部が隣接する領域には、ガードリングを設けない。そして、この領域を空乏層化する。空乏層により電界集中が生じないため、エッジブレークダウンは発生しない。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に複数の受光部が配置されてなる多分割アバランシェフォトダイオードにおいて、前記受光部の外周縁部にのみガードリングが設けられていることを特徴とする多分割アバランシェフォトダイオード。