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J-GLOBAL ID：200903095290164040

半導体基板の製造方法

Inventor： 氷見 啓明 ,  松井 正樹 ,  西沢 俊明 ,  藤野 誠二
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992222635
Publication number (International publication number)：1993198549
Application date： Aug. 21, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、2枚のシリコン結晶体板を接合して構成される半導体基板の製造方法に係るものであり、特にその接合界面の低抵抗化が実現でき、特性の安定した良質のデバイスが容易に形成できるようにした半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも一方の面を鏡面研磨したシリコンウエハ11を洗浄し、表面に自然酸化膜12が形成されたこのシリコンウエハ11をconcHFに、表面の酸化膜12を取り除くに充分な時間浸漬する。その後超純水内に浸漬し、シリコンウエハ11の表面にターミネートしたフッ素原子の大部分をOH基に置換させる。そして、乾燥した後、この様に処理された2枚のシリコンウエハ111 ,112 の鏡面同志を密着させ、OH基に基づく水素結合力で両者を接着させ、熱処理して強固な貼り合わせを完了させる。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの面が鏡面研磨された第1および第2のシリコン結晶体板の表面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄された第1および第2のシリコン結晶体板の表面に存在する酸化膜が除去された状態で、該表面のシリコン原子のボンドに直接OH基をターミネートするOH基付加工程と、前記第1および第2のシリコン結晶体板の前記鏡面研磨された面同士をあわせて該第1,第2のシリコン結晶体板をOH基を介した水素結合により密着する密着工程とを具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-004221
  
• 特開平2-183510
  
• 特開平3-123014