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J-GLOBAL ID：200903095300487617

ナノデバイス材料及びそれを用いたナノデバイス

Inventor： 竹延 大志 ,  岩佐 義宏
Applicant, Patent owner： 独立行政法人 科学技術振興機構
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003103643
Publication number (International publication number)：2004311733
Application date： Apr. 08, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】カーボンナノチューブを用いたナノスケールのP型半導体材料・N型半導体材料および金属材料を有するナノデバイス材料及びそれを用いたナノデバイスを提供する。【解決手段】カーボンナノチューブ1の内部に電荷移動を起こす材料2が含有されていることを特徴とするナノデバイス材料。その電荷移動を起こす材料2はTCNQ、TTF、TDAE、TMTSF、F4 TCNQ、DNBNなどの有機分子である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブの内部に電荷移動を起こす材料が含有されていることを特徴とするナノデバイス材料。

IPC (4)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  H01L29/78 ,  H01L51/00

FI (4)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/28

F-Term (14)：

4G146AA11 ,  4G146AA13 ,  4G146AA15 ,  5F140AA01 ,  5F140AA07 ,  5F140AA39 ,  5F140AB06 ,  5F140AC01 ,  5F140AC33 ,  5F140BA04 ,  5F140BA12 ,  5F140BA18 ,  5F140BB15 ,  5F140BB19

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Electronic and transport properties of N-P doped nanotubes