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J-GLOBAL ID：200903095316383285

III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： 千代 敏明 ,  千田 昌伸 ,  西島 和樹 ,  伊藤 潤 ,  柴田 直樹 ,  林 稔真
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001398452
Publication number (International publication number)：2003197961
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 基板表面の凹凸面に簡易にかつ結晶性良くIII族窒化物系化合物半導体層を成長させる。【解決手段】 基板表面の上にIII族窒化物系化合物半導体で形成されてその表面がテクスチャー構造、断面台形状、若しくはピット状であるバッファ層を形成し、該バッファ層の上にIII族窒化物系化合物半導体発光素子層を形成する。ここで各工程において前記基板の温度は実質的に一定温度に保たれる。

Claim (excerpt)：

その表面を凹凸面とした基板と、該凹凸面の上に形成されたバッファ層であって、III族窒化物系化合物半導体で形成されてその表面がテクスチャー構造、断面台形状、若しくはピット状であるバッファ層と、該バッファ層の上に形成されるIII族窒化物系化合物半導体層と、を備えてなる、III族窒化物系化合物半導体発光素子。

F-Term (9)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77