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J-GLOBAL ID：200903095318766459

プラズマ装置

Inventor： 荒木 陽一 ,  畑 次郎
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 守谷 一雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992049790
Publication number (International publication number)：1993251390
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 被処理体の損傷が少なく、高密度プラズマを発生することができる無磁場のプラズマ装置を提供する。【構成】 プラズマ発生源としてスローウェーブ構造のヘリカル共振器1を用い、このヘリカル共振器により発生したプラズマから1対の多孔性電極によって電子を加速して引出し、被処理体Wが載置された反応室3に送る。反応室には反応性ガスが供給されており、多孔性電極6、6’によって引出された電子により反応性ガスの高密度プラズマを発生させ被処理体Wを処理する。【効果】 ヘリカル共振器は無磁場で、効率よく高密度プラズマを発生することができるので、被処理体の損傷が少なく異方性の強いプラズマ処理を行なうことができる。また、磁場を不要とするので、装置全体として小型にすることができる。

Claim (excerpt)：

ヘリカル共振器と、該ヘリカル共振器により発生したプラズマから電子を引出すための電子加速手段と、反応性ガスが供給されるとともに前記電子加速手段によって加速された電子により反応性ガスのプラズマを発生させ被処理体を処理するための反応室とを備えたことを特徴とするプラズマ装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-058445
  
• 特開平3-131024
  
• 特開平1-143328
  
• 特開平2-222141
  
• 特開昭61-136229