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J-GLOBAL ID:200903095326291079

廃棄物処理施設の造成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒川 朋也 ,  鈴木 光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005238696
Publication number (International publication number):2007050381
Application date: Aug. 19, 2005
Publication date: Mar. 01, 2007
Summary:
【課題】 大掛かりな装置を要することなく、しかも狭隘な部分にも容易に止水層を形成することができるようにする。【解決手段】 放射性廃棄物を廃棄するための廃棄物処理施設を造成するにあたり、坑道1内に放射性廃棄物2を載置する。この坑道1と放射性廃棄物2との間の空間に止水層3を形成する。止水層3は、吹付け装置20を用いた吹付け工法によって形成される。吹付け装置20においては、ベントナイト系材料を吹き付ける。ベントナイト系材料は、ベントナイトと、炭酸イオン水溶液との混合体とを含んで構成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
地中に廃棄物を埋め、前記廃棄物の周囲に止水層を形成する廃棄物処理施設の造成方法であって、 ベントナイトを含む主材料と、ベントナイトの層間陽イオンと同種の陽イオンを含有する層間陽イオン含有水とを含んで構成されるベントナイト系材料を生成し、 ノズルを用いて、前記ベントナイト系材料を止水層形成位置に吹き付けて、前記止水層を形成することを特徴とする廃棄物処理施設の造成方法。
IPC (2):
B09B 1/00 ,  G21F 9/36
FI (3):
B09B1/00 F ,  G21F9/36 541D ,  G21F9/36 541E
F-Term (6):
4D004AA50 ,  4D004AB09 ,  4D004BB04 ,  4D004DA03 ,  4D004DA09 ,  4D004DA20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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