Pat
J-GLOBAL ID：200903095327986216
光起電力素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245803
Publication number (International publication number)：1993090619
Application date： Sep. 25, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 光起電力素子の透明電極に、窒素原子を含む酸化物を用い、透明電極内における窒素原子を、半導体側に多く分布するように構成し、透明電極自体の歪みや透明電極と半導体層の間の歪みを小さくし、半導体との密着性を改善する。又、透明電極の透過率も良くなり、比抵抗も小さくなって、光起電力素子の総合的な特性を向上させ得る。更に、透明電極の改良により半導体層の異常堆積を防止し、歩留まりを上げ得る。【構成】 この光起電力素子は不透明の導電性基板101上に、光反射層(導電性)102、反射増加層103、n側(またはp型)の非単結晶シリコン系半導体層104、i型(実質的にintrinsic)の非単結晶シリコン系半導体層105、p型(またはn型)の非単結晶シリコン系半導体層106、半導体層側に窒素原子が多く含有された透明電極107、集電電極108、から構成されている。該光起電力素子に対して、光は透明電極107側から照射される109である。
Claim (excerpt)：
導電性表面を有する基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層と、透明電極とを積層して構成される光起電力素子において、該透明電極が窒素原子を含有する酸化物から構成され、該酸化物中において該窒素原子が前記半導体層側に多く分布していることを特徴とする光起電力素子。
IPC (4)：
H01L 31/04
, C23C 14/35
, H01B 5/14
, H01L 29/40
