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J-GLOBAL ID：200903095332518409

光変調素子、光変調方法および液晶光スイッチ素子

Inventor： 浜 秀 雄 ,  酒 井 由香里
Applicant, Patent owner： 三井石油化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993282820
Publication number (International publication number)：1995134276
Application date： Nov. 11, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 バイアス電圧を印加しないでも光学的メモリー性が保持できる高速高解像光変調方法、およびこのような光変調が行なえる光変調素子を提供する。【構成】 反強誘電性液晶が両電極上に形成された配向膜によって配向している反強誘電性液晶素子の一方の電極とパルス電圧印加手段との間に106 Ω以上の抵抗体およびスイッチ機構が並列に接続されている光変調素子、およびこの光変調素子の反強誘電性液晶素子に備えられた前記両電極にパルス電圧を印加し、このパルス電圧が印加されている間にスイッチ機構を切り替えて前記電極の一方と前記パルス電圧印加手段とを106 Ω以上の抵抗体を介して接続する光変調方法。

Claim (excerpt)：

片面に電極と配向膜とがこの順序で形成された一対の基板を有し、前記配向膜間に反強誘電性液晶層が設けられてなる反強誘電性液晶素子と、前記両電極間にパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段と、106 Ω以上の抵抗体と、接続機構とを備え、前記パルス電圧印加手段は、前記接続機構を介して、前記両電極にそれぞれ接続され、前記抵抗体は、前記電極の一方と前記パルス電圧印加手段との間に前記接続機構と並列に設けられていることを特徴とする光変調素子。

IPC (7)：

G02F 1/13 505 ,  G02B 27/28 ,  G02F 1/133 540 ,  G02F 1/133 560 ,  G02F 1/1347 ,  G02F 1/139 ,  G09G 3/18