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J-GLOBAL ID:200903095337565847

半導体加速度センサ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西浦 ▲嗣▼晴
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002040704
Publication number (International publication number):2003240796
Application date: Feb. 18, 2002
Publication date: Aug. 27, 2003
Summary:
【要約】【課題】 センサ素子の精度が低下したり、製造を困難にすることなく、可撓部の損傷を防ぐことができる半導体加速度センサを得る。【解決手段】 重錘3と台座5との間に形成された間隙13内にのみ位置し且つ支持部9によって囲まれた空間を密閉しないように緩衝材15を間隙13内に配置する。緩衝材15を重錘3の周方向に等しい間隔をあけて位置する間隙13の間隙部分13a内に配置された4つの部分緩衝部15A〜15Dから構成する。
Claim (excerpt):
中心部に重錘固定部、外周部に筒状の支持部、そして前記重錘固定部と前記支持部との間に可撓部を残すように半導体結晶基板にエッチングが施されて形成され且つ前記可撓部にセンサ素子が形成された加速度センサ本体と、一端が前記重錘固定部に固定され且つ他端が前記支持部によって囲まれた空間の外部に位置するような形状寸法を有する重錘と、前記支持部を支持し且つ前記重錘に作用する加速度に基づく力により前記重錘が動くのを許容するようにして前記加速度センサ本体から突出する前記重錘の周囲を囲む筒状の台座とを具備し、前記重錘と前記台座との間に形成された間隙内に、前記重錘の動きを著しく拘束せず且つ前記重錘の動きにより前記加速度センサ本体の前記可撓部が損傷を受けるのを阻止する緩衝材が配置されている半導体加速度センサであって、前記緩衝材は前記間隙内にのみ位置し且つ前記空間を密閉しないように前記間隙内に配置されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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