Pat

J-GLOBAL ID：200903095347873353

保護回路を有する半導体装置

Inventor： 佐藤 典章
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316872
Publication number (International publication number)：1995169918
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 過大電圧が印加されても劣化が生じにくく、信頼性の高い保護回路を有する半導体装置を提供する。【構成】 内部回路と、外部装置と信号の入出力を行うための入出力端子と、前記内部回路と前記入出力端子とを接続するための信号線と、前記信号線と第1の定電位配線とを接続する第1のpチャネルMOSFETと、前記第1のpチャネルMOSFETのゲート電極と、前記第1のpチャネルMOSFETの前記信号線に接続された電極とを接続する配線と、前記信号線と、前記第1の定電位配線の電位よりも高電位の第2の定電位配線とを接続する第2のpチャネルMOSFETと、前記第2のpチャネルMOSFETのゲート電極と、前記第2のpチャネルMOSFETの前記第2の定電位配線に接続された電極とを接続する他の配線とを含む。

Claim (excerpt)：

内部回路と、外部装置と信号の入出力を行うための入出力端子(1)と、前記内部回路と前記入出力端子とを接続するための信号線(3)と、前記信号線と第1の定電位配線(Vss)とを接続する第1のpチャネルMOSFET(5)と、前記第1のpチャネルMOSFETのゲート電極と、前記第1のpチャネルMOSFETの前記信号線に接続された電極とを接続する配線と、前記信号線と、前記第1の定電位配線の電位よりも高電位の第2の定電位配線(Vdd)とを接続する第2のpチャネルMOSFET(4)と、前記第2のpチャネルMOSFETのゲート電極と、前記第2のpチャネルMOSFETの前記第2の定電位配線に接続された電極とを接続する他の配線とを含む半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K