半導体装置およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993160258
Publication number (International publication number)：1994349855
Application date： Jun. 04, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良する。【構成】概略三角形状の絶縁物22によって、ソース/ドレイン領域へのコンタクト部を自己整合的に決める。この構成をとることにより、マスク合わせを行わずに25の距離を決めることができ、しかもその距離を短くできるので、ソース/ドレイン領域の抵抗があまり問題とならない構成を実現できる。

Claim (excerpt)：

ゲイト電極側面の絶縁層に密接して概略三角形状の絶縁物が設けられ、該絶縁物によって、ソース領域及びドレイン領域へのコンタクト位置が定まっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , G02F 1/136 500

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭62-123772
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-288890 Applicant：松下電子工業株式会社
特開昭63-318779

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Cited by examiner (10)

特開昭62-123772
特開昭62-123772
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-288890 Applicant：松下電子工業株式会社

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