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J-GLOBAL ID：200903095355619113

半導体集積回路の露光式製作法

Inventor： 大山 直樹 ,  江頭 良夫
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 塚本 正文 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992114050
Publication number (International publication number)：1993291108
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 マスクの製作費及び製作時間が嵩まない、従って試作段階や少量多品種の製品の製作に適した経済的な半導体集積回路の露光式製作法を図る。【構成】 パターン型孔が切明けられたマスクを通して光を照射して他方の基板上にパターンを得る半導体集積回路の露光式製作法において、基板01に沿って平行移動及び回動が可能な可動マスク1と、可動マスク1に沿って平行移動及び回動が可能な複数の可動遮光板3とを具え、可動マスク1,可動遮光板3それぞれの位置制御及び露光の工程を複数回実施し、上記各工程で得たパターン4,5を合成すること。

Claim (excerpt)：

パターン型孔が切明けられたマスクを通して光を照射して他方の基板上にパターンを得る半導体集積回路の露光式製作法において、上記基板に沿って平行移動及び回動が可能な可動マスクと、上記可動マスクに沿って平行移動及び回動が可能な複数の可動遮光板とを具え、上記可動マスク,上記可動遮光板それぞれの位置制御及び露光の工程を複数回実施し、上記各工程で得たパターンを合成することを特徴とする半導体集積回路の露光式製作法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521