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J-GLOBAL ID:200903095360909405

両面型ハイブリッド集積回路装置の構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 暁夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993171546
Publication number (International publication number):1995030060
Application date: Jul. 12, 1993
Publication date: Jan. 31, 1995
Summary:
【要約】【目的】 絶縁合成樹脂基板2内に、複数個の電子部品3,4を埋設して成るハイブリッド集積回路装置を両面型にする場合において、その製造コストの低減と、薄型軽量化とを図る。【構成】 絶縁合成樹脂基板2内に、複数個の電子部品3,4を、当該各電子部品のうち一部の各電子部品3における接続用端子が前記絶縁合成樹脂基板における表面に、その他の各電子部品4における接続用端子が前記絶縁合成樹脂基板における裏面に各々露出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹脂基板における表裏両面に、前記各電子部品の相互間を電気的に接続する電気回路パターン6,7を各々形成する。
Claim (excerpt):
絶縁合成樹脂基板内に、複数個の電子部品を、当該各電子部品のうち一部の各電子部品における接続用端子が前記絶縁合成樹脂基板における表面に、その他の各電子部品における接続用端子が前記絶縁合成樹脂基板における裏面に各々露出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹脂基板における表裏両面に、前記各電子部品の相互間を電気的に接続する電気回路パターンを各々形成したことを特徴とする両面型ハイブリッド集積回路装置の構造。
IPC (4):
H01L 25/10 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50
FI (2):
H01L 25/10 Z ,  H01L 23/12 H
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平1-230289
  • 特開昭63-147392
  • 特開昭55-120192

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