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J-GLOBAL ID：200903095362437519
非単結晶太陽電池
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999068436
Publication number (International publication number)：2000269528
Application date： Mar. 15, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】非単結晶薄膜を用いたpin太陽電池において、光照射後の効率の向上を図る。【解決手段】光照射前の開放電圧が、光照射前の開放電圧の極大値に対して、0.85〜0.99倍になるように、p型半導体の膜厚を設定する。光照射前の開放電圧の極大値に対して、0.85〜0.99倍になるように、p型半導体のアクセプタ不純物濃度を設定しても良い。光照射の条件としては、1SUN で10時間以上、または(光強度[SUN])2 ×(時間[h ])を10以上とする。
Claim (excerpt)：
非単結晶薄膜からなるp型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも一つ有する非単結晶太陽電池において、非単結晶太陽電池の光照射前の開放電圧が、光照射前の開放電圧の最大値の0.85〜0.99倍になるように前記p型半導体を設定し、光照射をおこなうことを特徴とする非単結晶太陽電池。
FI (2)：
H01L 31/04 V
, H01L 31/04 X
5F051AA03
, 5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA17
, 5F051CA05
, 5F051CA32
, 5F051DA04
, 5F051GA03
Cited by examiner (3)
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光起電力素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-208131
Applicant：キヤノン株式会社
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光起電力素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-124757
Applicant：キヤノン株式会社
-
光起電力素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-013365
Applicant：キヤノン株式会社
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