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J-GLOBAL ID：200903095363964040
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992250264
Publication number (International publication number)：1994104439
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 コプレーナ型のTFT に関し,アモルファスシリコンから成る能動層上に形成されるコンタクト層の下にチャネル領域を広げ, 相互の接触界面を大きくすることによって良好なトランジスタ特性を確保可能とすることを目的とする。【構成】 能動層上に形成されたコンタクト層上に積層されるソース・ドレイン電極の端部を後退させ, コンタクト層の一部がゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向する構造にする。ゲート電極の電界がコンタクト層下の能動層に印加されるようになるため, 反転層がコンタクト層端部の下まで広がる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板の一表面に形成され且つ半導体から成る能動層と, 該能動層に画定されたチャネル領域を挟んで対向するように該能動層上に形成されたソース・ドレイン電極と, 一導電型の半導体から成り且つ該ソース・ドレイン電極と該半導体層との間に介在するコンタクト層と, 該チャネル領域に対向して設けられたゲート電極と, 該ゲート電極と該能動層との間に介在するゲート絶縁膜とから成るコプレーナ型薄膜トランジスタであって,前記ゲート電極直下において前記ソース・ドレイン電極が後退して前記コンタクト層の一部が該ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極に対して直接に対向していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 S
, H01L 29/78 311 P
