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J-GLOBAL ID：200903095366264040

半導体装置

Inventor： 山葉 隆久 ,  平出 誠治
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995053391
Publication number (International publication number)：1996222633
Application date： Feb. 17, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 MOS型トランジスタを有する半導体装置において、水分によるホットキャリア耐性劣化を防ぎ且つ界面準位の低減を図る。【構成】 半導体基板10の表面にゲート電極層Gを有するMOS型トランジスタを形成した後、その上に層間絶縁膜14及び遮蔽膜15を順次に形成する。所望の接続孔を膜14,15に設けた後、配線層16,17及び配線材層19を形成する。層16,17,19は、いずれも最下層としてTi層を有するAl合金層等から成る。層16,17,19を覆って層間絶縁膜18を形成した後、その上に配線層26を形成する。膜18は、スピン・オン・ガラス膜22等を含むもので、水分を含有する。層19は、膜18から電極層Gへの水分拡散を防ぎ、膜15は、層19のTi層に水分関連種(H2 O,OH- ,H+ )が吸蔵されるのを防ぐ。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板の表面に形成されたMOS型トランジスタと、このMOS型トランジスタを覆って前記基板の表面に形成された第1の層間絶縁膜と、この第1の層間絶縁膜の上に前記MOS型トランジスタのゲート電極層を覆って形成された水分拡散防止用の配線材層であって、最下層としてチタン層を有するものと、前記第1の層間絶縁膜の上に前記配線材層を覆って形成され、水分を含有する第2の層間絶縁膜とを備えた半導体装置であって、前記第1及び第2の層間絶縁膜の接触を確保した状態で前記第1の層間絶縁膜と前記チタン層との間に水分関連種遮蔽膜を介在配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/318

FI (3)：

H01L 21/90 J ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 B