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J-GLOBAL ID：200903095374619965

薄膜ELパネルのタングステン電極の形成方法

Inventor： 見田 充郎 ,  高橋 博実 ,  長谷川 達志 ,  高 青竹
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993047821
Publication number (International publication number)：1994267659
Application date： Mar. 09, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 絶縁耐圧の高い逆構造の薄膜ELパネルのW電極の形成方法を提供すること。【構成】 石英の基板30を設置した真空槽内の到達真空度を8×10-7Torrにした後、真空槽内にArガスを導入し、Ar雰囲気中でスパッタリングして、基板30上にW電極膜32を形成する。W電極膜のスパッタ条件はArガス圧を2×10-2Torr、スパッタパワ-を0.3〜2.0kWとする。次に、W電極膜32をパタ-ニングしてストライプ状のW電極34を形成し、その上に、第1絶縁膜36、発光膜、第2絶縁膜およびITO膜を順に形成する。次に、ITO薄膜をパタ-ニングして、W電極34のストライプ状のパタ-ンと直交するストライプ状の水平パタ-ンを有するITO電極を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にタングステン電極膜を形成し、該タングステン電極膜をパタ-ニングしてストライプ状のタングステン電極を形成することにより、薄膜ELパネルのタングステン電極を形成するにあたり、前記基板およびタ-ゲットを設置した真空槽内の到達真空度を9×10-7Torr以下にした後、該真空槽内にArガスを導入し、Ar雰囲気中で前記タ-ゲットをスパッタリングして、前記基板上にタングステン電極膜を形成することを特徴とする薄膜ELパネルのタングステン電極の形成方法。

IPC (2)：

H05B 33/26 ,  H05B 33/10