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J-GLOBAL ID：200903095383114787
イオン注入装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998062775
Publication number (International publication number)：1999260309
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 電子源から発生する電子と不純物イオンとを分離して電子のみをウエハに照射すること。【解決手段】 シリコンウエハ26にイオン源34からのイオンビーム100を注入するときに、電子源フィラメント50を加熱して電子58を生成し、電子58を電子ビーム102に変換する。このとき電子ビーム102と、電子58とともに発生するタングステンイオン60によるタングステンイオンビーム104に磁場回路36からの磁場を与え、各ビームの軌道をそれぞれの質量に応じて偏向し、各ビームを電子ビーム102とタングステンイオンビーム104とに分離し、タングステン60をシリコン板80にトラップし、電子ビーム102のみをシリコンウエハ26に照射してシリコンウエハ26の帯電を中和させる。
Claim (excerpt)：
イオン源から発生するイオンビームをウエハに注入するイオンビーム注入手段と、電子源から発生する電子を電子ビームに変換して出力する電子ビーム発生手段と、電子ビーム発生手段から発生する電子ビームとこの電子ビームに関連して発生した不純物イオンビームとを分離して電子ビームのみをウエハに照射する電子ビーム照射手段とを備えてなるイオン注入装置。
IPC (4)：
H01J 37/317
, C23C 14/00
, C23C 14/48
, H01L 21/265
H01J 37/317 Z
, C23C 14/00 B
, C23C 14/48 Z
, H01L 21/265 N
