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J-GLOBAL ID：200903095384816912

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 野口 隆
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992326929
Publication number (International publication number)：1994177035
Application date： Dec. 07, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 薄膜半導体素子を単結晶化された活性領域に正確に形成する。【構成】 基板1上に形成された半導体層2に位置合せマーク3を形成する工程と、その後に、位置合せマーク3を基準に、結晶成長核を最終的に活性領域となる位置の近傍に形成するための遮光マスクを形成する工程と、この遮光マスクの開口を通じて露光処理によって半導体層2に結晶成長核を形成する工程と、半導体層2に結晶成長核から単結晶成長を行って活性領域を形成する固相単結晶成長工程と、位置合せマーク2を基準に活性領域に半導体素子を形成する工程とを経ることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された半導体層に位置合せマークを形成する工程と、その後に、上記位置合せマークを基準に、結晶成長核を最終的に活性領域となる位置の近傍に形成するための遮光マスクを形成する工程と、該遮光マスクの開口を通じて露光処理によって上記半導体層に結晶成長核を形成する工程と、上記半導体層に、上記結晶成長核から単結晶成長を行って上記活性領域を形成する固相単結晶成長工程と、上記位置合せマークを基準に上記活性領域に半導体素子を形成する工程とを経ることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-161823
  
• 特開平4-119633
  
• 特開平3-292721