Pat

J-GLOBAL ID：200903095387316589

ドライエッチング方法

Inventor： 金清 任光 ,  川原 博宣 ,  佐藤 仁昭 ,  藤本 幸太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992281320
Publication number (International publication number)：1994132258
Application date： Oct. 20, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【構成】アルミニウム系膜構造のウエハをハロゲン系ガスおよびROH(R=CnHmなど)ガスの混合ガスのプラズマによりエッチング処理する。【効果】ハロゲン系ガスによりアルミニウム系材料をエッチングし、また、ROHガスによりアルミニウム側壁保護膜の形成を行う。このとき、パターン幅が広いところではデポ物も多くなり側壁に付着しやすくなるが、デポ物の発生量が少ないので状態変化が少なく、最適条件を出す範囲が広がり、アルミニウム系材料の膜をパターン密度に関係なく良好な形状にエッチング処理することができる。

Claim (excerpt)：

アルミニウム系膜構造のウエハをハロゲン系ガスおよびROH(R=CnHmなど)ガスの混合ガスのプラズマによってエッチング処理することを特徴とするドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-147621
  
• 特開平1-103837