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J-GLOBAL ID：200903095388709240

メモリ素子およびその製造方法

Inventor： 加道 博行 ,  任田 隆夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995179818
Publication number (International publication number)：1997036317
Application date： Jul. 17, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 従来の微細加工方法で容易に特性を制御できるクーロンブロケード効果を利用したメモリ素子を提供する。【構成】 絶縁性基板1上の一対の電極2、3間に形成された金属あるいは半導体の微粒子が分散された第1の抵抗体4と、抵抗体4に電気絶縁体物質5を介して形成された第2の抵抗体6と、抵抗体6に形成された第3の電極7から構成され、第1の抵抗体4に電子を蓄積させ、その最に生じる静電場により生じる電極2と3の間に流れるトンネル電流の変化をモニターしてメモリ状態を確認する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成され金属または半導体からなる複数の微粒子が絶縁層中に分散された第1の抵抗体と、前記基板上の前記第1の抵抗体の両端に形成された第1及び第2の電極と、前記第1の抵抗体上に電気絶縁性物質層を介して形成された金属または半導体からなる複数の微粒子が絶縁層中に分散された第2の抵抗体と、前記第2の抵抗体上に形成された第3の電極とを有し、前記第1の電極と前記第2の電極間に流れるトンネル電流の特性により前記第2の抵抗体中の電子の有無を判断することを特徴とするメモリ素子。

IPC (2)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/80

FI (2)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/80 A