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J-GLOBAL ID：200903095391380135

酸化物薄膜の製造方法及び酸化物薄膜を用いた超電導体構造物およびその製造方法

Inventor： 金 錫範 ,  前田 敏彦 ,  松本 要 ,  山際 勝也 ,  須賀 俊裕 ,  山田 容士 ,  平林 泉
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社 ,  日本特殊陶業株式会社 ,  中部電力株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001076151
Publication number (International publication number)：2002279838
Application date： Mar. 16, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 結晶性に優れた種膜を形成することにより、溶液成長法による123型超電導膜の作製を可能とした酸化物超電導体構造物およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する基板と、この基板上に形成された、REGaO3 (REは、La,Nd,Pr,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Yb,またはLuを示す)からなる結晶質の酸化物層と、この酸化物層上に形成された酸化物超電導体を具備することを特徴とする。結晶質酸化物層は、アモルファス酸化物層を形成し、これをアモルファス酸化物層の形成温度よりも高温でアニールして結晶化させることにより得られる。

Claim (excerpt)：

RE(ただし、RE は La、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Lu のうちより選ばれる 1 種の元素あるいは 2 種以上の元素の組み合わせを表す)、Ga、Oよりなるアモルファス酸化物を形成する工程と、該アモルファス酸化物を、該アモルファス酸化物の形成温度よりも高い温度でアニールすることにより結晶化させて結晶質 REGaO3 を形成する工程と、を具備する結晶質 REGaO3 膜の製造方法。

IPC (3)：

H01B 13/00 565 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA

FI (3)：

H01B 13/00 565 D ,  C30B 29/22 501 C ,  H01B 12/06 ZAA

F-Term (12)：

4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077CG01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB21 ,  5G321DB38