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J-GLOBAL ID：200903095393282262

半導体センサ

Inventor： 霜鳥 裕 ,  坂井 一則 ,  中原 剛 ,  五十嵐 和夫 ,  永野 恵一 ,  小林 郁夫
Applicant, Patent owner： 日本精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079515
Publication number (International publication number)：1995263712
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 上,下ガラスの内面でシリコン基板側の重り部に対向した位置に導電部材からなる導電性膜を形成することにより、陽極接合の際に発生するマススタック現象を抑えることのできる半導体センサを提供する。【構成】 シリコン基板1は重り部5を支持する両持梁16にピエゾ抵抗6を形成して絶縁層を上面に形成する。上,下ガラス7,8はシリコン基板1の重り部5に対向した位置に複数個の上,下ストッパ17,18を有し、シリコン基板1の上,下側に陽極接合で固定する。導電性膜19は上,下ガラス7,8の重り部5に対向した位置に形成する。

Claim (excerpt)：

重り部を支持する梁部にピエゾ抵抗を形成して上面に絶縁層を形成したシリコン基板と、前記重り部に対向した位置に突出形成した複数個のストッパを有する前記シリコン基板の上,下側に陽極接合で固定した上,下ガラスとからなり、前記ピエゾ抵抗の抵抗値変化により外力を検出する半導体センサにおいて、前記上,下ガラスの内面で前記シリコン基板と対向する少なくとも一部に導電部材からなる導電性膜を形成したことを特徴とする半導体センサ。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12