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J-GLOBAL ID：200903095396590235

分離部材を形成する方法

Inventor： ポウル・マーティン・ファヘイ ,  アーウィン・ハマール ,  ハーバート・レイ・ホー ,  ムツオ・モリカド
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995159235
Publication number (International publication number)：1996046029
Application date： Jun. 26, 1995
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 空隙のないトレンチ分離を形成する。【構成】 集積回路におけるデバイスのために、窒化物ライナ層で浅いトレンチ分離を形成する方法は、5nm未満の厚さのライナを用いることによって、トレンチ充填材内に容認できない空隙をもたらす窒化物ライナをリセスする問題を解決する。800°Cにおける高温酸化アニールによるトレンチ酸化物充填材の高密度化工程は、不純物を追い出し、従来の1000°Cのアルゴン・アニールと同じ密度を達成するばかりではなく、熱負荷をかなり減少させる。

Claim (excerpt)：

集積回路のシリコン層内に埋め込まれた分離部材を形成する方法において、シリコン層の上面に窒化物層を含む保護層を堆積する工程と、前記保護層をエッチングして、1組の分離マスク開口を形成する工程と、反応性イオンエッチング処理により前記1組の分離マスク開口をエッチングして、1組の分離トレンチを形成する工程と、5nm未満の厚さを有する窒化物のコンフォーマル層を堆積する工程と、前記1組の分離トレンチを充填するように前記1組の分離トレンチに酸化物CVD層を堆積する工程と、リン酸により前記窒化物層を除去する工程と、を含む分離部材を形成する方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/76 N ,  H01L 21/302 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-081943
  
• 特開昭59-090942
  
• 特開昭56-133846
  
• 特開平1-241827
  
• 特開平4-120733