GaN系半導体デバイスの製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石原勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001312429
Publication number (International publication number)：2003124188
Application date： Oct. 10, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】下地とのエッチング選択比を大きくできて電子供給率の低下を来す恐れのないGaN系半導体デバイスの製造方法を提供する【解決手段】 GaN系半導体デバイスの製造工程において、n+ -GaN層6をn+ -AlGaN層5に対して選択的にエッチングを行う際に、Cl原子を含むガスとF原子を含むガスを用い、そのCl原子を含むガスの濃度を60〜90%としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

真空反応室内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に制御しながら、真空反応室内の基板電極に対向して設けられたコイルに高周波電力を印加することで真空反応室内にプラズマを発生させ、基板電極上に配置された基板の多層膜を処理するGaN系半導体デバイスの製造方法であって、GaN膜のAlGaN膜に対する選択エッチングを行う際、真空反応室内にCl原子を含むガスとF原子を含むガスを導入し、そのCl原子を含むガスの濃度が60%から90%であることを特徴とするGaN系半導体デバイスの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 21/302 F , H01L 29/80 H

F-Term (24)：

5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004CA02 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA29 , 5F004DB19 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR10 , 5F102HC15 , 5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

化合物半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-094220 Applicant：日本電気株式会社
化合物半導体選択ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-226400 Applicant：株式会社日立製作所
ドライエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-329710 Applicant：ソニー株式会社

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