Pat

J-GLOBAL ID：200903095405936476

成膜方法

Inventor： 勝又 竜太 ,  宮島 秀史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997172147
Publication number (International publication number)：1999016905
Application date： Jun. 27, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 SiH4 ガスを用いた高密度プラズマCVD法によるSiO2 膜の成膜において、Si及びOの組成を化学量論的組成に保ち、かつ効率よく成膜レートを上昇させる。【解決手段】 高密度プラズマCVD法を用いて被処理基体上にSi及びOを主成分とする絶縁膜を成膜する方法において、原料ガスにSiH4 ガス及び少なくともOを含むガスを少なくとも含む混合ガスを用い、被処理基板へのO2 + イオンの単位時間あたりの入射量に対する被処理基板へのO+ イオンの単位時間あたりの入射量の比率を0.1以上にして成膜する。

Claim (excerpt)：

高密度プラズマCVD法を用いて被処理基体上にSi及びOを主成分とする絶縁膜を成膜する方法において、原料ガスにSiH4 ガス及び少なくともOを含むガスを少なくとも含む混合ガスを用い、被処理基板へのO2 +イオンの単位時間あたりの入射量に対する被処理基板へのO+ イオンの単位時間あたりの入射量の比率を0.1以上にして前記絶縁膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (5)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 成膜装置及び成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-007895   Applicant：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• シリコン化合物系絶縁膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224066   Applicant：ソニー株式会社