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J-GLOBAL ID:200903095410796259
導波路作製方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992025260
Publication number (International publication number):1993224055
Application date: Feb. 12, 1992
Publication date: Sep. 03, 1993
Summary:
【要約】【目的】 生産性のよい導波路作成方法を提供する。【構成】 表面がシリコンである基板110(例えば、シリコン基板、シリコン膜が設けられた基板など)上に、導波路パターンに対応した溝190を形成する第1の工程(図1(a)〜(c))と、溝が形成されたシリコンを酸化して下部クラッド層320を形成する第2の工程(図1(d))と、下部クラッド層320上に不純物(燐、ゲルマニウムなど酸化シリコンの屈折率を上げるもの)を含む酸化シリコンからなるコア層330を形成する第3の工程と、コア層330上に上部クラッド層160を形成する第4の工程とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt):
表面がシリコンである基板上に、導波路パターンに対応した所定のパターンの溝を形成する第1の工程と、前記溝が形成された前記シリコンを酸化して下部クラッド層を形成する第2の工程と、前記下部クラッド層上に不純物を含む酸化シリコンからなるコア層を形成する第3の工程と、前記コア層上に上部クラッド層を形成する第4の工程とを有することを特徴とする導波路作製方法。
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