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J-GLOBAL ID：200903095414558239

積層型光電変換装置及びその製造方法

Inventor：
佐々木 敏明

About 佐々木 敏明

, 
山本 憲治

About 山本 憲治


Applicant, Patent owner：
株式会社カネカ

About 株式会社カネカ


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003367536
Publication number (International publication number)：2005135987
Application date： Oct. 28, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：
【課題】 高性能かつ低コストな積層型光電変換装置を提供する。【解決手段】 本発明によると、光入射側から一導電型層と実質的に真性半導体の光電変換層と逆導電型層の順で構成される光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、第一光電変換ユニット3と該第一光電変換ユニットよりも光入射側から見て後方側に隣接して配置される第二光電変換ユニット4とを一組以上含み、前記第一光電変換ユニット3内の逆導電型層33または前記第二光電変換ユニット4内の一導電型層41のうち片方もしくは両方が非晶質酸素化シリコンを少なくとも一部含む導電型層であって、前記非晶質酸素化シリコンは波長600nmの光に対する屈折率が2.2未満であることを特徴とすることによって課題を解決する。【選択図】 図7
Claim (excerpt)：
光入射側から一導電型層と実質的に真性半導体の光電変換層と逆導電型層の順で構成される光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、第一光電変換ユニットと該第一光電変換ユニットよりも光入射側から見て後方側に隣接して配置される第二光電変換ユニットとを一組以上含み、前記第一光電変換ユニット内の逆導電型層または前記第二光電変換ユニット内の一導電型層のうち片方もしくは両方が非晶質酸素化シリコンを少なくとも一部含む導電型層であって、前記非晶質酸素化シリコンは波長600nmの光に対する屈折率が2.2未満であることを特徴とする積層型光電変換装置。
IPC (2)：
H01L31/04 ,  H01L21/205
FI (3)：
H01L31/04 Y ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 W
F-Term (27)：
5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA57 ,  5F045DA64 ,  5F045DA65 ,  5F045EE12 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051DA18 ,  5F051EA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051GA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (16)
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