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J-GLOBAL ID：200903095427867214

薄膜素子

Inventor： 和賀 聡 ,  尾藤 三津雄 ,  瀧田 一成 ,  清水 賢児 ,  篠井 潔 ,  須藤 能啓 ,  柿原 良亘
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993340765
Publication number (International publication number)：1995161528
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄型で且つインダクタンス値を大きくでき、電磁波ノイズフィルタに使用された場合にはカットオフ周波数を低周波数領域にできる薄膜素子を得る。【構成】 薄膜素子31は、磁性体で且つ少なくとも表面絶縁性の基板32と、この基板32上に平面的にスパイラル状に形成されたコイル33と、このコイル33の端子部34,35および前記基板32の磁性体接続部分32aを除く部分に形成された第1の層間絶縁体膜36と、前記端子部34,35を除いた第1の層間絶縁体膜36上に順に成膜された磁性体膜37と第2の層間絶縁膜38と、前記端子部34,35に接続形成されたバンプ電極39,39とから構成されている。磁性体膜37としてFe78Ta10C12の組成の微結晶材料が使用されることにより、小型で且つインダクタンス値の高い素子となる。

Claim (excerpt)：

基板上に、平面状に形成されたコイル層と、コイル層上に絶縁層を介して形成された磁性体膜とが設けられ、前記コイル層に端子部が形成された薄膜素子であって、前記磁性体層が、Fe-M-C系の微結晶材料(ただし、Feは鉄、MはIVb,Vb,VIb族の金属、Cは炭素)により形成されていることを特徴とする薄膜素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-209507
  
• 特開平3-132004
  
• 特開平3-131006