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J-GLOBAL ID：200903095430879800

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法

Inventor： ジャマル・ラムダニ ,  ラビンドラナス・ドローパッド ,  ツィイ・ジミー・ユ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000322458
Publication number (International publication number)：2001189312
Application date： Oct. 23, 2000
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄くて安定したシリコンとのケイ化物インタフェースを作成する方法を提供する。【解決手段】 半導体構造を作成する方法は、表面12を有するシリコン基板10を設ける段階と、シリコン基板10の表面12上に原子層付着(ALD)によって、ケイ化物材料からなるシード層20;20’を形成する段階と、原子層付着(ALD)によってシード層20;20’の上に1層以上の高誘電率酸化物40を形成する段階とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体構造を作成する方法であって:表面(12)を有するシリコン基板(10)を設ける段階;前記シリコン基板の前記表面上に原子層付着によりシード層(20)を形成する段階;および原子層付着により、前記シード層上に1層以上の高誘電率酸化物(40)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする半導体構造作成方法。

IPC (9)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/16 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/316 X ,  C30B 29/16 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371