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J-GLOBAL ID：200903095438845689

薄膜トランス及び薄膜トランスの製造方法

Inventor： 中林 亮 ,  佐々木 義人 ,  梅津 英治 ,  森田 澄人 ,  畑内 隆史
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998285775
Publication number (International publication number)：2000114047
Application date： Oct. 07, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 小型で実装密度を高くすることが可能であり、特性も良好な薄膜トランスを提供する。【解決手段】 基体2の外面に4つの電極4、5、6、7が取り付けられ、基体2の内部に2つの渦巻き状のコイル8、9が互いに離間かつ対向するように設けられ、基体2の内部の2つのコイル8、9の各々の外側に2つの軟磁性膜10、11が2つのコイル8、9とそれぞれ離間かつ対向するように設けられ、基体2の内部にの2つのコイル8、9の各両端8a、8b、9a、9bと4つの電極4、5、6、7とをそれぞれ接続する導体12、13、14、15が設けられてなることを特徴とする薄膜トランス1を採用する。

Claim (excerpt)：

基体の外面に4つの電極が取り付けられ、該基体の内部に2つの渦巻き状のコイルが互いに離間かつ対向するように設けられ、前記基体の内部の前記2つのコイルの各々の外側に2つの軟磁性膜が前記2つのコイルとそれぞれ離間かつ対向するように設けられ、前記基体の内部に前記の2つのコイルの各両端と前記の4つの電極とをそれぞれ接続する導体が設けられてなることを特徴とする薄膜トランス。

IPC (6)：

H01F 17/00 ,  H01F 10/12 ,  H01F 27/28 ,  H01F 27/32 ,  H01F 41/04 ,  H01F 41/10

FI (6)：

H01F 17/00 B ,  H01F 10/12 ,  H01F 27/28 A ,  H01F 27/32 Z ,  H01F 41/04 C ,  H01F 41/10 C

F-Term (33)：

5E043AA07 ,  5E043AB09 ,  5E043EA03 ,  5E043EA05 ,  5E043EA06 ,  5E043EB01 ,  5E044AA06 ,  5E044AA09 ,  5E044CA03 ,  5E044CA04 ,  5E044CA05 ,  5E044CA07 ,  5E044CA08 ,  5E044CA09 ,  5E044CB10 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049BA14 ,  5E062DD01 ,  5E062FG01 ,  5E062FG07 ,  5E062FG12 ,  5E070AA11 ,  5E070AB01 ,  5E070BA20 ,  5E070BB02 ,  5E070CB12 ,  5E070CB17 ,  5E070CB18 ,  5E070CC10 ,  5E070EA01 ,  5E070EA10