Pat

J-GLOBAL ID：200903095457484859

プローブステーション

Inventor： 曽根 和義
Applicant, Patent owner： 和泉精機株式会社
Agent (1)： 横川 邦明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997120177
Publication number (International publication number)：1998303257
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハ等といった試料に関する微少電流特性を温度制御下であっても極めて高精度に測定できるプローブステーションを提供する。【解決手段】 試料台4によって試料6を支持し、その試料6の被測定個所に測定針9を接触させて微少電流を測定するプローブステーションにおいて、試料6の温度を変化させるために試料台4の内部に一対のヒータ線23a及び23bを重ね合わせて埋設する。供給線31を通して電源Eから供給される電流を、ヒータ線23a,23bに関して互いに逆方向に流して、発生する磁束の方向を逆方向にする。これにより、それらの磁束が互いに相殺されて、電磁誘導ノイズが低減する。また、試料台4を構成する電極14,17,19と絶縁体16,18との間に固体潤滑層22を設けることにより、摩擦ノイズを低減する。

Claim (excerpt)：

試料を支持する試料台と、その試料の被測定個所に接触する測定針と、試料の温度を調節するための温度調節手段とを有するプローブステーションにおいて、上記温度調節手段は、互いに対向する一対の通電線を有し、それらの通電線には互いに逆方向に電流が流れることを特徴とするプローブステーション。