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J-GLOBAL ID：200903095465156011

洗浄方法および洗浄装置

Inventor： 溝上 員章 ,  佐々木 彰 ,  中野 和男 ,  蓮見 啓二 ,  三井 泰裕 ,  伊藤 勝彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994004161
Publication number (International publication number)：1995211681
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハの表面に付着している不純物を確実に除去する。【構成】 ガスボンベから供給された不活性ガスは、減圧弁で減圧、マスフローコントローラで流量制限され、フィルタ、純化器によりガス中のパーティクルや不純物が取り除かれ、高純度の不活性ガスを加熱チャンバ内に供給する。ローダ12に格納された半導体ウエハ1は、搬送機14により加熱チャンバ内に搬送される。加熱チャンバ内の雰囲気温度はヒータにより、200°C程度の高温に保たれ、その不活性ガス雰囲気中で半導体ウエハ1をベーキングにより洗浄する。洗浄中、APIMS11はガス成分を絶えず分析し、結果を制御手段15に入力し、予め設定されている規定値よりも不純物濃度が少なければ、洗浄を終了させ、規定値よりも不純物濃度が多ければ、規定値以下の不純物濃度になるまで洗浄を継続させる。

Claim (excerpt)：

加熱した高純度の不活性ガスの雰囲気中に被洗浄物をさらすことにより洗浄することを特徴とする洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304