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J-GLOBAL ID：200903095466887990

半導体ウエハ冷却方法および装置

Inventor： 野村 尚史
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991190788
Publication number (International publication number)：1993013294
Application date： Jul. 04, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ裏面に付着する異物を低減させつつ、ウエハを充分に冷却する。【構成】 保持ピン5群によりウエハ7を点接触にて保持した状態で、冷却プレート15に近接させるとともに、近接状態でウエハ7に冷却風14を吹き付けて、ウエハを冷却させる。【効果】 ウエハ7は点接触にて保持されるので、ウエハ裏面に付着する異物は少ない。ウエハ7は冷却プレート15と冷却風14とにより冷却されるので、効果的に冷却される。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハを点接触にて保持した状態で、冷却プレートに近接させるとともに、半導体ウエハに冷却風を吹き付けて冷却することを特徴とする半導体ウエハ冷却方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/302