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J-GLOBAL ID：200903095477103061

ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 佐々木 栄夫 ,  田久 真也 ,  矢嶋 興一 ,  徳渕 圭介
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996016037
Publication number (International publication number)：1997213662
Application date： Jan. 31, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】ダイシング時におけるチッピングを防止できるウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】半導体素子が形成されたウェーハ21上に格子状に配置されたダイシングラインに沿って上記半導体素子の形成面側から所定の深さの溝22を形成し、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持用のシート26を貼り付け、上記ウェーハの裏面を上記溝に達するまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する特徴としている。ウェーハの裏面を溝に達するまで研削及び研磨することによってウェーハを個々のチップに分離するので、ハーフカット法でダイシングした後、外力を加えて分割する方法やフルカット法でシートまで切り込んで切断し、分離する従来の方法に比してダイシングの際のチッピングを抑制できる。

Claim (excerpt)：

半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って上記半導体素子の形成面側から所定の深さの溝を形成する工程と、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持用のシートを貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記溝に達するまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備することを特徴とするウェーハの分割方法。

IPC (3)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (6)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/304 321 H ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Y ,  H01L 21/78 A