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J-GLOBAL ID：200903095481399447

スパッタリング装置

Inventor： 細川 直吉 ,  金 京植 ,  小林 司
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992220818
Publication number (International publication number)：1993239640
Application date： Jul. 28, 1992
Publication date： Sep. 17, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 比較的に広い面積の基板に均質な薄膜を作成できる電極構造を提供する。【構成】 スパッタリング装置に設けられたマグネトロンカソード電極20に、N極及びS極の磁極配置が互いに反対である2種類の磁石ユニット44A,44Bを交互に隣接させて配置した磁石組立体32を設け、ターゲット面に磁石ユニットによってドリフト電子の運動方向が反対である2種類の環状軌跡を交互に隣接して形成する。これにより混成軌道を作り、イオン電流発生領域を拡大する。またマグネトロンカソード電極20において磁石組立体51を往復運動させる移動機構を設ける。

Claim (excerpt)：

内部を真空状態にする排気系を備えた真空容器と、この真空容器の内部に配置され、成膜処理される基板を取付けた基板保持部材と、前記基板に対して対向する位置関係で配置され、前記基板の面に成膜する矩形平面状ターゲットを備えた少なくとも1つのマグネトロンカソード電極と、前記真空容器の内部にガスを流通させて内部圧力を適切に維持するガス制御系と、前記マグネトロンカソード電極に電力を供給する電源系を含むスパッタリング装置であり、前記1つのマグネトロンカソード電極は、N極及びS極に関する磁極の配置が互いに反対である第1及び第2の2種類の磁石ユニットを交互に隣接させて配置した磁石組立体を備え、前記ターゲットの面上に、第1及び第2の前記磁石ユニットによって、ドリフト電子の運動方向が反対である2種類の環状軌跡が交互に隣接され、相隣接するドリフト電子の軌道が混成して形成されることを特徴とするスパッタリング装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-114568
  
• 特公昭61-028029
  
• 特開昭61-034177
  
• 特開昭63-109163