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J-GLOBAL ID：200903095484070616

レジストパターン微細化材料及びこの材料を用いた半導体装置の製造方法並びにこの製造方法を用いた半導体装置

Inventor： 保田 直紀 ,  豊島 利之 ,  石橋 健夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000002361
Publication number (International publication number)：2001194785
Application date： Jan. 11, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 露光波長限界を超えるレジストパターン形成を可能とするレジストパターン微細化材料と、この材料用いた半導体装置製造方法と、この方法を用いた半導体装置を得る。【解決手段】 ネガ型レジストパターン上に、樹脂と、塩基発生剤と、溶媒とからなるレジストパターン微細化材料を用い有機膜を形成し、熱処理又は光照射処理により、有機膜からレジストパターン中に塩基成分を拡散させ、レジストパタン表面に可溶化層を形成させる。この可溶化層と有機膜とを剥離液で除去するこにより、露光波長限界を超えた、微細なレジストパタ-ンを形成する。

Claim (excerpt)：

樹脂と、塩基発生剤と、溶媒とで構成されたことを特徴とするレジストパターン微細化材料。

IPC (6)：

G03F 7/038 601 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/038 601 ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/004 503 B ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (40)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CA00 ,  2H025CA03 ,  2H025CA22 ,  2H025CA27 ,  2H025CA28 ,  2H025CA39 ,  2H025CB00 ,  2H025CB07 ,  2H025CB13 ,  2H025CB15 ,  2H025CB21 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025DA40 ,  2H025FA12 ,  2H025FA28 ,  2H025FA33 ,  2H025FA48 ,  2H095BC24 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  2H096HA30 ,  2H096LA13 ,  2H097HA05 ,  2H097LA10