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J-GLOBAL ID：200903095486917675
誘電体薄膜と誘電体薄膜素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994066191
Publication number (International publication number)：1995282624
Application date： Apr. 04, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】 TiO2 薄膜について、誘電率が高く、tanδの小さい誘電体薄膜、誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供すること。【構成】 基板13上に下部電極として白金膜4、誘電体薄膜5及び上部電極としてAg電極6を形成してなる誘電体薄膜素子において、誘電体薄膜5の成分がTiO2 にMnを0.1〜0.5mol%添加した組成からなり、誘電体薄膜5はCVD法によって作製され、Mnの添加はTiO2 の成膜と同時に行われる。
Claim (excerpt)：
TiO2 にMnを0.1〜0.5mol%添加含有させたことを特徴とする誘電体薄膜。
IPC (4)：
H01B 3/00
, C23C 16/40
, H01B 3/12 304
, H01G 4/12 415
