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J-GLOBAL ID：200903095492013869
単結晶育成装置および育成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993148532
Publication number (International publication number)：1994340493
Application date： May. 27, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 連続チャージ法と二重るつぼ法とを組み合わせた半導体単結晶育成装置において、単結晶育成部への不純物の混入、内側るつぼの熱変形、結晶中の酸素濃度上昇を防止し、高純度の単結晶を得ることができるようにする。【構成】 結晶育成部15と原料供給部16とを分離する石英製円筒状の内側隔壁9と、単結晶12の下端を取り巻く遮蔽板10とを一体に支持する支持体8を、保温筒7の上面に設置する。初期原料溶解時には外るつぼ5を下降させて内側隔壁9の熱変形を防止し、単結晶引き上げ時には外るつぼ5を上昇させて内側隔壁9を融液11に所定の深さまで浸漬させる。不活性ガスは前記支持体8に設けた気導孔8cを通って結晶育成部15側から原料供給部16側に流れる。また、融液11は高温の原料供給部16と適温の結晶育成部15に分離され、内側隔壁9の浸漬深さを制限することにより、結晶中の酸素濃度上昇を抑える。
Claim (excerpt)：
原料を溶解して融液とする外るつぼと、前記融液に原料を供給する原料供給管と、前記原料供給管より内側の融液に浸漬され、融液を前記外るつぼの中心付近と周縁部分とに区分する内側隔壁と、前記融液から単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備えた単結晶育成装置において、前記内側隔壁と、この内側隔壁の内側にあって単結晶の下部を取り巻くように融液の上方に設けた遮蔽板とを一体に支持する支持体を設置し、前記外るつぼの中心付近の上方空間から外るつぼの周縁部分の上方空間に通じる少なくとも1個の気導孔を前記支持体に設けたことを特徴とする単結晶育成装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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